1N65G-AA3-R دیتاشیت

1N65G-AA3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 1N65G-AA3-R
حجم فایل 47.886 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت 1N65G-AA3-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 1N65G-AA3-R
  • Power Dissipation (Pd): 8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 12.5Ω@10V,600mA
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

محصولات مشابه